NAND FLASH芯片坏字节（BadBytes）自动剪切功能

U盘 FLASH芯片数据恢复中使用自动坏字节剪切功能（插入、添加、坏列）。模式有助于显著减少手动研究和切割的时间。请点击下面的链接，了解更多关于如何在实践中使用这种方法的信息。

关于坏字节的更多信息，请参阅我们之前的文章：

NAND FLASH在转储中如何检测和消除添加(插入，坏列)
U盘AU6989和AU6998主控XORed inserts

Example #1:

带有TLC芯片的SM3257EN控制器。它包含大量1-字节的插入（白色列），在两个平面之间创建移位：

位图黑线的右侧是大小为27字节的SA区域（Marker+ECC）：

要使用新的自动切割模式，请右键单击位图，然后选择自动查找：

然后选择两个平面（Plane 0和Plane 1）：

最后，选择坏字节的类型（本例中为白色列）：

如果一切正常，将在平面获得字符串中的坏字节位置和完美位图：

本页末尾：

Example #2:

带有MLC芯片和“invisible不可见”字节的AU6989控制器（每个字节都是下一个字节副本的列）：

使用自动查找功能，尝试检测所有坏字节：

Example #3:

带有TLC芯片和“classic 经典”2-字节坏列的SM3257EN控制器。黑色列的左边是ECC范围的边界（它在两个平面上重复，这不是一个坏字节！）。右边的白色列是坏字节。在此“插入”之后，所有数据都会发生移位：

在页面末尾SA区域的平面之间切换

删掉这个坏列（BadColumn）：

BadByte切割后，SA线变直：

结论（Conclusion）

新功能可以节省手动剪切坏字节的时间。无论如何，我们建议总是检查最终结果，因为这个切割工具可能会切割掉更多的字节。当新模式的效果达不到预期时，会出现一些例外情况：

1. 具有大量位错误的情况。自动检测功能可能会执行错误检测，因为ECC错误会影响最终结果；
2. 对于Phison控制器，数据和ECC范围用FF字节划分。有时，SA边框的背面线可能会被检测为BAD列的位置，如以下示例所示：

右边的宽黑线是Marker+ECC数据后区域的开始。中间的细黑线是Marker和ECC区域完成的边界。该范围的总大小为1101字节。

这是同一页，但没有坏字节剪切。正如所看到的，服务区的薄边框被移动，这些列可能会被检测为坏字节。该软件将消除它们，包括SA区域的必要部分。

如果您有任何问题，请联系我们。